1 裝置介紹

1.1 概述

       APView500PV 電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置采用了高性能多核平臺(tái)和嵌入式操作系統(tǒng)，遵照 IEC61000-4-30《測(cè)試和測(cè)量技術(shù)-電能質(zhì)量測(cè)量方法》中規(guī)定的各電能質(zhì)量指標(biāo)的測(cè)量方法 進(jìn)行測(cè)量，集諧波分析、波形采樣、電壓暫降/暫升/中斷、閃變監(jiān)測(cè)、電壓不平衡度監(jiān)測(cè)、 事件記錄、測(cè)量控制等功能為一體。裝置在電能質(zhì)量指標(biāo)參數(shù)測(cè)量方法的標(biāo)準(zhǔn)化和指標(biāo)參數(shù) 的測(cè)量精度以及時(shí)鐘同步、事件告警功能等各個(gè)方面均達(dá)到了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) A 級(jí)要求，能夠滿足 通過(guò) 0.4-35kV 電壓等級(jí)并網(wǎng)的分布式光伏發(fā)電系統(tǒng)要求，廣泛適用于工業(yè)廠房、商業(yè)屋頂、 物流基地、機(jī)場(chǎng)交通、高速服務(wù)區(qū)等行業(yè)的分布式光伏并網(wǎng)點(diǎn)電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)。

1.2 特點(diǎn) 

1.2.1 高性能的硬件平臺(tái)

    裝置采用基于 Xilinx SoC 構(gòu)架的雙 ARM 內(nèi)核處理器，ARM1 運(yùn)行嵌入式 Linux、TCP/IP 協(xié)議、Http 協(xié)議、Web 服務(wù)器、電能質(zhì)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)、統(tǒng)計(jì)、分析，ARM2 用來(lái)數(shù)據(jù)采樣、 電能質(zhì)量數(shù)據(jù)計(jì)算。裝置每周波采樣高達(dá) 1024 點(diǎn)，具備高測(cè)量精度能準(zhǔn)確記錄故障波形。 采用 eMMC 進(jìn)口高速存儲(chǔ)芯片容量達(dá)到 32GB，可以長(zhǎng)期存儲(chǔ)事件記錄與故障波形等數(shù)據(jù)。 具備友好的人機(jī)界面，800*480 像素點(diǎn)陣彩色大尺寸液晶可就地查看實(shí)時(shí)波形與故障波形， 方便用戶故障分析。

1.2.2 豐富的接口資源 

       4 路交流電壓； 

       4 路交流電流； 

      16 路可編程無(wú)源繼電器出口； 

      22 路有源開關(guān)量輸入； 

      2路 RS485 串行通訊接口，支持 Modbus-RTU 規(guī)約； 

      4 路以太網(wǎng)接口，其中 3 個(gè)支持 Modbus-TCP、IEC 61850 MMS、FTP，1 個(gè)支持裝置升 級(jí)維護(hù)； 

      1 路 GPS 對(duì)時(shí)接口，支持 IRIG-B 對(duì)時(shí)方式； 1 路 USB 接口，可用于裝置維護(hù)。 

1.2.3 可靠性設(shè)計(jì)

    裝置軟硬件具有持續(xù)完善的自檢功能，抗干擾性能好，裝置通過(guò)多項(xiàng)電磁兼容檢測(cè)認(rèn)證， 電快速瞬變脈沖群、靜電放電、浪涌抗干擾性能均達(dá)到國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。

安全性能

絕緣強(qiáng)度

裝置能承受有效值為2kV、頻率為50Hz、歷時(shí)1min 的絕緣強(qiáng)度試驗(yàn)，而無(wú)擊穿和閃絡(luò) 現(xiàn)象。

絕緣電阻

用開路電壓為500V 的兆歐表測(cè)量裝置的絕緣電阻值，正常試驗(yàn)大氣條件下各等級(jí)的各 回路絕緣電阻不小于20MΩ。

沖擊電壓

在正常試驗(yàn)大氣條件下，裝置的電源輸入回路、交流輸入回路、輸出觸點(diǎn)回路對(duì)地以及 回路之間能承受1.2/50μs 的標(biāo)準(zhǔn)雷電波的短時(shí)沖擊電壓試驗(yàn)，開路試驗(yàn)電壓5kV。

 耐濕熱性能

裝置應(yīng)能承受GB/T 2423.9-2001 規(guī)定的恒定濕熱試驗(yàn)。試驗(yàn)溫度+40℃±2℃、相對(duì)濕度 (93 ± 3)％，試驗(yàn)時(shí)間為48小時(shí)，在試驗(yàn)結(jié)束前2小時(shí)內(nèi)，用500V直流兆歐表，測(cè)量各外引帶 電回路部分外露非帶電金屬部分及外殼之間、以及電氣上無(wú)聯(lián)系的各回路之間的絕緣電阻應(yīng) 不小于1.5MΩ；介質(zhì)耐壓強(qiáng)度不低于介質(zhì)強(qiáng)度試驗(yàn)電壓幅